| 摘要 |
Винахід стосується технології отримання напівпровідникових матеріалів, зокрема полікристалічного аргіродиту AgGeSe. Заявлено спосіб, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, германію, селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9÷1,2) 10тор, відпаюють та нагрівають. Нагрівання здійснюють так, щоб синтезувати бінарні сполуки AgSe і GeSe. Наступним нагрівання досягають температури початку реагування між бінарними сполуками AgSe і GeSeта синтезування аргіродиту AgGeSeі створюють умови для такого реагування. Спосіб дозволяє суттєво зменшити його енергозатратність та гарантує одержання сполуки стехіометричного складу. |
