| 摘要 |
1. Способ изготовления кристаллов СБИС с теплоотводящими элементами для изготовления многокристальных СБИС по способу вертикальной сборки, включающий процесс изготовления вертикальных проводников, пронизывающих насквозь полупроводниковую пластину (метод TSV), процессы утонения и соединения пластин друг с другом, отличающийся тем, что при формировании глубоких вертикальных отверстий (ГВО) одновременно формируются глубокие вертикальные траншеи (ГВТ) между кристаллами, ширина которых больше ширины ГВО, стенки ГВО и ГВТ покрываются изолирующим слоем, внутренние объемы ГВО заполняются, а поверхность пластины и стенки ГВТ покрываются проводящим электрический ток материалом (ПЭТМ) таким образом, чтобы между образовавшимися на противоположных стенках ГВТ пленками ПЭТМ осталась щель, определяющая ширину промежутка между кристаллами, щель заполняется нанесением на пластину временной пленки (ВП) для придания пластине большей механической прочности, с поверхности пластины ВП и ПЭТМ химико-механической полировкой удаляются, планаризуя тем самым поверхность пластины и формируя сквозные вертикальные проводники (СВП), а на стенках ГВТ - сквозные теплоотводящие рамки (СТР), затем формируется многоуровневая металлизация, отличающаяся тем, что в топологии, как горизонтального так и вертикального проводников каждого уровня металлизации, по краю кристалла предусматривается изготовление металлической рамки по ширине и расположению на фотошаблоне совпадающая с ранее сформированной СТР, а между кристаллами над щелью между ПЭТМ в процессе изготовления каждого уровня металлизации формируется изолирующая пленка, состо |
