发明名称 HALBLEITERELEMENTMODUL UND GATE-ANSTEUERSCHALTUNG
摘要 <p>Ein Halbleiterelementmodul (1, 21, 31) weist ein Ansteuerelement (2) und ein Spannungsänderungserfassungselement (3) auf, die jeweils aus einem Spannungsansteuerhalbleiterelement gebildet sind. Das Spannungsänderungserfassungselement erfasst eine Änderung einer Spannung zwischen einem Kollektor und einem Emitter oder zwischen einem Drain und einer Source des Ansteuerelements. Ein Kollektor oder ein Drain des Spannungsänderungserfassungselements ist mit dem Kollektor oder dem Drain des Ansteuerelements verbunden, und ein Gate des Spannungsänderungserfassungselements ist mit einem Emitter oder einer Source des Spannungsänderungserfassungselements verbunden. Der Emitter oder die Source des Spannungsänderungserfassungselements ist als ein Erfassungsanschluss (S) bereitgestellt.</p>
申请公布号 DE102014214773(A1) 申请公布日期 2015.02.05
申请号 DE201410214773 申请日期 2014.07.28
申请人 DENSO CORPORATION 发明人 MIURA, RYOTARO;GOTOU, TAKASHI
分类号 H02M1/08 主分类号 H02M1/08
代理机构 代理人
主权项
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