| 发明名称 | 一种金属硅化物绝缘层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属硅化物绝缘层的形成方法，包含如下步骤：第一步，在对ONO膜层进行刻蚀时，采用金属硅化物绝缘层的掩膜版，保留SONOS区域的ONO膜层，其他金属硅化物绝缘层区域的ONO膜层也同时保留；第二步，进行器件结构的制作；第三步，以保留的ONO膜层作为金属硅化物绝缘层，器件表面生成金属硅化物；第四步，沉积金属，并经过快速退火处理；第五步，去除不需要的金属沉积层。本发明采用保留的ONO膜层作为金属硅化物绝缘层，比传统工艺少使用一层掩膜版。 | ||
| 申请公布号 | CN104332400A | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201410604577.3 | 申请日期 | 2014.10.30 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 赵鹏 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种金属硅化物绝缘层的形成方法，其特征在于：包含如下步骤：第一步，在对ONO膜层进行刻蚀时，采用金属硅化物绝缘层的掩膜版，保留SONOS区域的ONO膜层，其他金属硅化物绝缘层区域的ONO膜层也同时保留；第二步，进行器件的栅极及源漏区的器件结构制作；第三步，以保留的ONO膜层作为金属硅化物绝缘层，器件表面生成金属硅化物；第四步，沉积金属，并经过快速退火处理；第五步，去除不需要的金属沉积层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||