发明名称 一种封装电池的极耳保护区冲裁方法
摘要 本发明涉及电池封装技术领域,公开了一种封装电池的极耳保护区冲裁方法,当所述铝塑膜经过冲压机构冲压出底部凹坑和盖面凹坑后,放入假电芯至底部凹坑中,然后将盖面凹坑盖合于底部凹坑上,对盖面凹坑和底部凹坑的前端部冲裁极耳保护区,由于在假电芯的支撑作用下,底部凹坑和盖面凹坑的内部被填充,从而使得冲裁过程中,底部凹坑和盖面凹坑不会发生变形,最后,将假电芯取出,将真电芯装入即可。
申请公布号 CN104332568A 申请公布日期 2015.02.04
申请号 CN201410459945.X 申请日期 2014.09.11
申请人 超源精密电子设备(东莞)有限公司 发明人 赖炳昌
分类号 H01M2/02(2006.01)I 主分类号 H01M2/02(2006.01)I
代理机构 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 代理人 张明
主权项  一种封装电池的极耳保护区冲裁方法,其特征在于:本冲裁方法包括如下步骤:S1.将冲压出底部凹坑和盖面凹坑的铝塑膜进行局部裁切,使盖面凹坑弯折后能盖合于底部凹坑上方;S2.放入假电芯至底部凹坑中;S3.正向翻转盖面凹坑,使盖面凹坑盖合于底部凹坑上方;S4.在盖面凹坑和底部凹坑的前端冲裁出极耳保护区;S5.反向翻转盖面凹坑,打开底部凹坑;S6.从底部凹坑中取出假电芯。
地址 523045 广东省东莞市万江区蚬涌村万江工业城
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