发明名称 大功率半导体芯片的封装组件
摘要 本实用新型公开了一种大功率半导体芯片的封装组件。封装组件包括硅铝盒体、金锡焊料片、金刚石铜热沉块、锡铅焊料片、大功率半导体芯片、盖板、低频连接器和射频连接器,硅铝盒体底部开有腔槽,金刚石铜热沉块位于腔槽中,并通过锡铅焊料片与硅铝盒体焊接,大功率半导体芯片位于腔槽上方,并通过金锡焊料片焊接在金刚石铜热沉块上,盖板盖合硅铝盒体,并通过激光封焊与硅铝盒体焊接,低频连接器和射频连接器焊接在硅铝盒体的相对两侧。本实用新型的封装组件能够解决大功率半导体芯片封装后,散热、热膨胀、气密性不能兼顾的问题。
申请公布号 CN204144238U 申请公布日期 2015.02.04
申请号 CN201420626280.2 申请日期 2014.10.27
申请人 中国电子科技集团公司第二十九研究所 发明人 季兴桥;陆吟泉
分类号 H01L23/06(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I 主分类号 H01L23/06(2006.01)I
代理机构 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人 钱成岑
主权项 一种大功率半导体芯片的封装组件,其特征在于,所述封装组件包括硅铝盒体(1)、金锡焊料片(2)、金刚石铜热沉块(3)、锡铅焊料片(4)、大功率半导体芯片(5)、盖板(6)、低频连接器(7)和射频连接器(8),所述硅铝盒体(1)底部开有腔槽(11),所述金刚石铜热沉块(3)位于所述腔槽(11)中,并通过所述锡铅焊料片(4)与所述硅铝盒体(1)焊接,所述大功率半导体芯片(5)位于所述腔槽(11)上方,并通过所述金锡焊料片(2)焊接在所述金刚石铜热沉块(3)上,所述盖板(6)盖合所述硅铝盒体(1),并通过激光封焊与所述硅铝盒体(1)焊接,所述低频连接器(7)和所述射频连接器(8)焊接在所述硅铝盒体(1)的相对两侧。
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