| 发明名称 | 低功率相变存储器单元 | ||
| 摘要 | 存储器可包括两个电极和耦合在两个电极之间具有非晶重置状态和部分结晶设置状态的相变材料。设置状态中的相变材料可在亚阈值电压区域中具有高度非线性电流电压响应。相变材料可以是铟、锑和碲的合金。 | ||
| 申请公布号 | CN104335350A | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201380027699.4 | 申请日期 | 2013.06.14 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | E.V.卡波夫;张国维;G.斯帕迪尼 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;G11C13/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 杨美灵;汤春龙 |
| 主权项 | 一种存储器，包括：两个电极；以及具有非晶重置状态和部分结晶设置状态的相变材料，所述相变材料耦合在所述两个电极之间；其中所述设置状态中的所述相变材料在亚阈值电压区域中具有高度非线性电流‑电压响应。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||