一种提高LED亮度的多量子阱层生长方法

摘要

本发明涉及一种提高LED亮度的多量子阱层生长方法，该LED外延片结构从下向上的顺序依次为：衬底层、低温GaN缓冲层、未掺杂的高温GaN缓冲层、Si掺杂的n型GaN层、发光层多量子阱、低温p型GaN层、p型AlGaN电子阻挡层、高温p型GaN层、p型GaN接触层；发光层多量子阱从下往上依次包括低温浅量子阱、低温多量子阱发光层结构；其中低温浅量子阱由三部分浅量子阱组成，该三部分浅量子阱的阱层含铟量以逐渐减少的变化方式进行生长，垒层通入TMAl(三甲基铝)含量也采用逐渐减少的变化方式进行生长。本发明所提供的方法，通过改善GaN基LED量子阱中浅量子阱生长结构，进而提高LED发光亮度。

主权项

一种提高LED亮度的多量子阱层生长方法，该LED外延片结构从下向上的顺序依次为：衬底层、低温GaN缓冲层、未掺杂的高温GaN缓冲层、Si掺杂的n型GaN层、发光层多量子阱、低温p型GaN层、p型AlGaN电子阻挡层、高温p型GaN层、p型GaN接触层；发光层多量子阱从下往上依次包括低温浅量子阱、低温多量子阱发光层结构；其特征在于，所述低温浅量子阱分三部分，该三个部分全部采用高压大于200Torr进行生长，并且该三部分浅量子阱的阱层含铟量以逐渐减少的变化方式进行生长，垒层通入TMAl(三甲基铝)含量也采用逐渐减少的变化方式进行生长；第一部分浅量子阱垒层的生长厚度在原有基础上增加10％，同时通入TMAl(三甲基铝),其摩尔含量为15％‑20％，厚度的增加通过MO源的通入量来实现；第二部分浅量子阱的垒层厚度保持不变，同时通入TMAl(三甲基铝)，其摩尔含量为10％‑15％；第三部分浅量子阱的垒层厚度在第二部分的基础上减薄10％，同时通入TMAl(三甲基铝)，其摩尔含量为5％‑10％，厚度的减薄通过减少MO源的通入时间和通入量来共同实现。