多层的保护层或蚀刻停止层薄膜电晶体;MULTILAYER PASSIVATION OR ETCH STOP TFT

摘要

本发明一般系有关于薄膜电晶体以及用于制造薄膜电晶体的方法。对于背通道蚀刻式薄膜电晶体或者是对于蚀刻停止式薄膜电晶体而言，多层的保护层或蚀刻停止层允许一非常致密的覆盖层形成于较不致密的背通道保护层之上。覆盖层可以是充分致密，因此呈现少数的针孔，且因而让氢可以不会穿越通过至半导体层。因此，可以使用含氢的前驱物于覆盖层沉积。