| 发明名称 |
半导体元件之内连接结构;INTERCONNECTION STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
一种半导体元件之内连接结构，架构于半导体基材内。内连接结构包括第一矽晶直通孔以及第二矽晶直通孔。第一矽晶直通孔贯穿半导体基材。第二矽晶直通孔贯穿半导体基材。第一矽晶直通孔与第二矽晶直通孔相互间隔一距离。其中，该距离介于2μm以及40μm之间。 |
| 申请公布号 |
TW201505149 |
申请公布日期 |
2015.02.01 |
| 申请号 |
TW102127315 |
申请日期 |
2013.07.30 |
| 申请人 |
国立交通大学 |
发明人 |
陈冠能;张耀仁 |
| 分类号 |
H01L23/52(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文叶璟宗 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市大学路1001号 |
