半导体装置

主权项

一种具有金属氧化物半导体电容器之半导体装置，该半导体装置包括：第一导电性类型的矽基板；第二导电性类型的轻度掺杂之井区域，系藉由将杂质扩散入该矽基板内来予以设置的；电荷累积区域，系设置在该第二导电性类型的轻度掺杂之井区域中；多个沟槽，系设置在该电荷累积区域中；第二导电性类型的重度掺杂区域，系设置在该电荷累积区域的外部，且具有比该第二导电性类型的轻度掺杂井区域之杂质浓度更高的杂质浓度；氧化物膜，系设置在设置于该电荷累积区域中之该多个沟槽中，和在该第一导电性类型的矽基板之表面上；多晶矽电极，系设置在该氧化物膜上；以及基板侧电极，系设置而与该第二导电性类型的重度掺杂区域相接触。