在制造一半导体装置期间使用之方法、用于形成非对称半导体装置特征之方法及包括该半导体装置之结构

主权项

一种在半导体装置特征制造期间使用之方法，其包括：形成待蚀刻的至少一材料；形成复数个第一光罩特征于第一位置处及形成复数个第二光罩特征于待蚀刻的该材料上；在第二位置处利用一第一蚀刻部分蚀刻入待蚀刻的该材料，以及在该等第一位置使待蚀刻的该材料保持未蚀刻；移除该等第一光罩特征；然后在该等第二光罩特征曝露的情况下，在该等第一位置与该等第二位置两者处利用一第二蚀刻蚀刻待蚀刻的该材料。