具有改良式防护的微机电结构及方法;A MEMS STRUCTURE WITH IMPROVED SHIELDING AND METHOD

摘要

本发明揭示一种用于制造一整合式微机电系统(MEMS)-CMOS装置之方法。该方法可包含提供具有一表面区域之一基板部件及形成具有上覆该表面区域之至少一个CMOS装置之一CMOS积体电路(IC)层。可形成一底部隔离层来上覆该CMOS IC层且可形成一防护层及一顶部隔离层来上覆底部隔离层之一部分。该底部隔离层可包含在该顶部隔离层与该防护层之间的一隔离区域。一MEMS层上覆该顶部隔离层、该防护层及该底部隔离层且可经蚀刻以形成具有至少一个可移动结构及至少一个锚定结构之至少一个MEMS结构。