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<p>Un système à semiconducteurs à intégration monolithique (100) est présenté. Le système à semiconducteurs. (100) comporte un substrat (110) contenant du silicium (Si), et un composant semiconducteur à base de nitrure de gallium (GaN) est construit sur le substrat (110). Le système à semiconducteurs (100) comporte en outre au moins une structure de suppression de tensions transitoires (STT) (130) construite dans ou sur le substrat (110), la structure de STT (130) étant électriquement au contact (140) du composant semiconducteur à base de GaN (120). La structure de STT (130) est conçue pour fonctionner en mode pénétration, en mode avalanche ou dans des modes combinant ces deux derniers quand une tension appliquée dans le composant semiconducteur à base de GaN (120) dépasse une tension de seuil. Des procédés pour fabriquer un système à semiconducteurs à intégration monolithique (100) sont également présentés.</p> |
