| 发明名称 | 一种压敏电阻的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种压敏电阻的制备方法，属于电子元件制备领域。包括如下步骤：（1）选用纯度为99.5%的MgO个纯度为99%的SiO<sub>2</sub><sub>，</sub>按摩尔比为1:1混合球磨，球磨后烘干；（2）在60MPa下压制成圆片，在750℃下合成，自然降温后粉碎待用；（3）选用90.4%的ZnO+5.18%Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+1.84%Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+0.97%Co<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+0.84%Ni<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+0.64%Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+0.13%MnO<sub>2</sub>作为基方，再加入0.04%的MgSiO<sub>3</sub>制成混合原料；（4）将混合原料、水、球按照1:1:2.5置于聚酯罐中搅拌磨1h料浆烘干后加8%的粘合剂，240MPa下压制成40mm×40mm的方片进行烧结。通过调整原料配比，掺杂0.04%MgSiO3，不仅大幅度提高了ZnO防雷器压敏电阻的电学非线性质，还提高了ZnO压敏电阻的电压梯度、大幅度提高了其通流能力、降低了其残压比和漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN104310987A | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201410526999.3 | 申请日期 | 2014.10.09 |
| 申请人 | 陕西易阳科技有限公司 | 发明人 | 张俊 |
| 分类号 | C04B35/453(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01C7/112(2006.01)I;H01C17/30(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/453(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安亿诺专利代理有限公司 61220 | 代理人 | 刘斌 |
| 主权项 | 一种压敏电阻的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）选用纯度为99.5%的MgO个纯度为99%的SiO<sub>2</sub><sub>，</sub>按摩尔比为1:1混合球磨，球磨后烘干；（2）在60 MPa下压制成圆片，在750℃下合成，自然降温后粉碎待用；（3）选用90.4% 的ZnO + 5.18% Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub> + 1.84% Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub> + 0.97% Co<sub>2</sub>O<sub>3</sub> + 0. 84% Ni<sub>2</sub>O<sub>3</sub> + 0.64% Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+ 0.13% MnO<sub>2</sub>作为基方，再加入0.04%的MgSiO<sub>3</sub>制成混合原料；（4）将混合原料、水、球按照1:1:2.5置于聚酯罐中搅拌磨1 h料浆烘干后加8%的粘合剂，240 MPa下压制成40 mm×40 mm的方片进行烧结。 | ||
| 地址 | 710075 陕西省西安市高新区高新路枫叶高层35号602室 | ||