发明名称 晶圆承载装置
摘要 一种晶圆承载装置,设置于一晶圆蚀刻设备,该晶圆蚀刻设备包含一腔室及一位于该腔室的升降轴,该晶圆承载装置包含一绝缘盘、一金属盘及一绝缘环。该绝缘盘设置于该升降轴上;该金属盘设置于该绝缘盘上供承载一晶圆,且该金属盘具有一承载该晶圆的部分及一自该部分朝外延伸而超出该晶圆的周缘;该绝缘环设置于该金属盘上,而覆盖该周缘并具有一朝下延伸而突出该金属盘的端缘。其中,该绝缘盘至少遮蔽该部分的一底面而与该端缘之间具有一小于1公分的间距。据此,本实用新型防止该金属盘下方受到一等离子体的打击,延长其使用寿命。
申请公布号 CN204130514U 申请公布日期 2015.01.28
申请号 CN201420459468.2 申请日期 2014.08.14
申请人 微芯科技有限公司 发明人 陈登葵
分类号 H01L21/683(2006.01)I 主分类号 H01L21/683(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 王玉双;常大军
主权项 一种晶圆承载装置,设置于一晶圆蚀刻设备,该晶圆蚀刻设备包含有一腔室以及一设置于该腔室的升降轴,其特征在于,该晶圆承载装置包含有:一设置于该升降轴上的绝缘盘;一设置于该绝缘盘上以供承载一晶圆的金属盘,该金属盘具有一承载该晶圆的中央部分以及一自该中央部分朝外延伸而超出该晶圆的周缘;以及一设置于该金属盘上的绝缘环,该绝缘环覆盖该周缘并具有一朝下延伸而突出该金属盘的端缘;其中,该绝缘盘至少遮蔽该中央部分的一中央底面而与该端缘之间具有一小于1公分的间距。
地址 中国台湾新竹县竹北市斗仑里光明九路236号1楼