第III族氮化物半导体发光器件

摘要

本发明提供了一种在不增加驱动电压的情况下表现出改进的发射性能的第III族氮化物半导体发光器件。该第III族氮化物半导体发光器件至少包括n型层侧包覆层、具有包括Al_xGa_1-xN(0＜x＜1)层作为势垒层的多量子结构的发光层以及p型层侧包覆层，其中，每个层由第III族氮化物半导体形成。在发光层从n型层侧包覆层到p型层侧包覆层沿着厚度方向分为第一块、第二块和第三块这三个块的情况下，第一块和第三块中的势垒层的数量相同，并且，每个发光层的Al组成比被设置成满足关系式x+z＝2y且z＜x，其中，x表示第一块中的势垒层的平均Al组成比，y表示第二块中的势垒层的平均Al组成比，z表示第三块中的势垒层的平均Al组成比。

主权项

一种第III族氮化物半导体发光器件，其至少包括：n型层侧包覆层；发光层，所述发光层包括包含多个层单元的多量子结构，每个单元至少包括：包含InGaN的阱层；GaN层；包含Al_x1Ga_1‑x1N(0<x1<1)的第一势垒层；包含Al_x2Ga_1‑x2N(0<x2<1)的第二势垒层，其中Al组成比x2不同于第一势垒层的Al组成比x1；和p型层侧包覆层，所述n型层侧包覆层、所述发光层和所述p型层侧包覆层中的每个层都包含第III族氮化物半导体，其中所述发光层从所述n型层侧包覆层向所述p型层侧包覆层沿厚度方向包含第一块、第二块和第三块，并且其中每个块中的所述第一势垒层和所述第二势垒层中至少之一的所选势垒层的Al组成比设定为满足关系式z<y<x，其中，x表示所述第一块中的所述所选势垒层的平均Al组成比，y表示所述第二块中的所述所选势垒层的平均Al组成比，并且z表示所述第三块中的所述所选势垒层的平均Al组成比。