二阶光栅相干垂直腔面发射半导体激光器

摘要

本发明公开了一种二阶光栅相干垂直腔面发射半导体激光器，属于激光器技术领域。解决了现有技术中相干激光器结构复杂，可靠性差的技术问题。该激光器包括依次排列的P面电极、P型DBR、有源区、N型DBR、衬底和N面电极，P型DBR中设有具有多个氧化孔的氧化限制层，该激光器还包括一阶光栅和二阶光栅，一阶光栅和二阶光栅的偏振方向相同，偏振方向均平行或垂直于(110)晶向，二阶光栅设定在出光面上，且遮挡所有出光孔及出光孔的连接处；一阶光栅设定在出光面上，且设置于二阶光栅的两端。本发明的激光器，不仅自身能实现偏振控制，还具有稳定性高，可靠性好的优点，可以用于大规模生产制造。

主权项

二阶光栅相干垂直腔面发射半导体激光器，包括依次排列的P面电极(3)、P型DBR(4)、有源区(6)、N型DBR(7)、衬底(8)和N面电极(9)；其特征在于，所述P型DBR(4)中设有具有多个氧化孔(51)的氧化限制层(5)；所述激光器还包括一阶光栅(2)和二阶光栅(1)，一阶光栅(2)和二阶光栅(1)的偏振方向相同，所述偏振方向平行或垂直于(110)晶向；所述二阶光栅(1)设定在出光面上，且遮挡所有出光孔及出光孔的连接处；所述一阶光栅(2)设定在出光面上，且设置于二阶光栅(1)的两端。