量测芯片内单管曲线的方法

摘要

本发明公开了一种量测芯片内单管曲线的方法，包含：选取样品，将样品研磨至所需量测的层次；在研磨打开的器件表面淀积一层绝缘材质，将器件表面完全覆盖住；采用聚焦离子束机台刻蚀绝缘材质，暴露出需要做桥联的单管的监测节点；采用聚焦离子束机台，由暴露出的监测节点开始，在绝缘材质上生长向外延伸的铂金属条,在铂条的延伸末端形成焊盘；将制作完焊盘的芯片转移至手动测试机台，将探针全部接地电位，对焊盘进行预扎针放电；采用正常的测试方式，对器件的单管各监测节点对应的焊盘施加相应的测试信号，进行曲线的量测。上述方法无需采用昂贵的专业纳米探针机台即可进行单管曲线的量测，节省了器件的检测成本。

主权项

一种量测芯片内单管曲线的方法，其特征在于：包含如下步骤：第一步，选取样品，将样品研磨至所需量测的层次；第二步，在研磨打开的器件表面淀积一层绝缘材质，将器件表面完全覆盖住；第三步，采用聚焦离子束机台刻蚀绝缘材质，暴露出需要做桥联的单管的监测节点；第四步，采用聚焦离子束机台，由暴露出的监测节点开始，在绝缘材质上生长向外延伸的铂金属条,在铂条的延伸末端形成焊盘；第五步，将制作完焊盘的芯片转移至手动测试机台，将探针全部接地电位，对焊盘进行预扎针放电；第六步，对器件的单管各监测节点对应的焊盘施加相应的测试信号，进行曲线的量测。