发明名称 用以制造一种透明导电膜之组成物,以及制造该透明导电膜之方法
摘要
申请公布号 TW044830 申请公布日期 1982.07.01
申请号 TW07110436 申请日期 1982.02.05
申请人 日立化成工业株式会社;日立制作所股份有限公司 日本国东京都千代田区;丸 内1丁目5番1号 发明人 山崎充夫;中谷光雄;须藤亮一 等6人;奥中正昭
分类号 H01B1/16 主分类号 H01B1/16
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1﹒一种制造透明导电膜的组成物,金属铟化合物,鍚化合物及一溶剂作为基本成份;所使用的锡化合物可用下列一般性化学式表之:(R)aSn(NO)b(X)4─a─b‥﹒﹒(1)其中R为含一1至4个碳原子的烷基,X为一羟基、卤素原子,或羧基;a和b为1-3间的整数,且a+b≦4;铟化合物及(1)式所示之锡化合物,以鍚化合物对铟化合物加锡化合物之比値[Sn/(In+Sn)100]为5─20%之比例混合;组成物中含重量比2─80﹒%的锡化合物及铟化合物,及98─20%重量的溶剂,其计算基准均根据鍚化合物加上铟化合物加上溶剂的总重量作为计算基准。2﹒根据请求专利部份第1项所述之组成物,其中铟化合物是一以In(NO3)p(Y)q表示之化合物;Y为二羧酸或二羧酸单酯,其中有一个或两个质子已解离,以─OOC﹒R'﹒COOR"或─OOC﹒R'﹒COO─表之,R'表示亚羟基,R"为H或烷基,当Y为─OOC﹒R'﹒COOR"时,p+q=3且p或q为整数1或2;当Y为─OOC﹒R'﹒COO─时,2p+q=3且p或q为整数1或2;溶液含80-98%重量的乙醇及20至2%重量的乙二醇,且以一般化学式(1)表示的鍚化合物中,至少为(CH3)2Sn(NO3)2及(CH3)2Sn(NO3)OH之一。3﹒一种制造透明导电膜的方法,是将一组成物涂布在一基材上,此组成物是由铟化合物,锡化合物及一溶剂作为基本成份;而使用的鍚化合物可用以下的一般性化学式表之:(R)aSn(NO3)b(X)4a─b………(1)其中R为一含1至4个碳原子的烷基,,X为一羟基、卤素原子、或羧基;a和b为1-3间之整数,且a+b≦4;铟化合物及(1)式所示之锡化合物,以锡化合物对铟化合物加锡化合物之比値[Sn/(In+Sn)100]为5-20%之比例混合;组成物中含2-80﹒%重量的鍚化合物及铟化合物,及98─20%重量的溶剂,其计算基准均根据锡化合物加上铟化合物加上溶剂的总重量作为计算基准。于基材涂装妥后,在必要情况下,使基材温度达200℃或更高,使之乾燥并受紫外线照射,或至少进行其中之一项,然后再将基材加热至400℃或更高温度。4﹒根据请求专利部份第3﹒项中所述之方法,其中铟化合物是一以In(NO3)p(Y)q表示之化合物;Y为二羧酸或二羧酸单酯,其中有一个或两个质子已解离,以─OOC﹒R'﹒COOR"或─OOC﹒R'﹒COO8─之,R'表示亚羟基,R"为H或烷基,当Y为─OOC﹒R'﹒COOR"时p+q=3且p或q为整数1或2;当Y为─OOC﹒R'﹒COO─时,2p+q=3且p或q为整数1或2;溶液含80-98%重量的乙醇及20﹒至2%重量的乙二醇,且以一般化学式(1)表示的鍚化合物中,至少为(CH3)2Sn(NO3)2及(CH3)2Sn(NO3)OH之一。
地址 日本国东京都新宿区西新宿2丁目1番1号