一种压阻传感器芯片及其制作方法

摘要

本发明为一种压阻传感器芯片。其生产方便、成本低，且成品率高、精确度高。其包括压力膜层、基底、力敏电阻、金属引线，所述力敏电阻、金属引线安装于所述压力膜层的上表面，所述基底装于所述压力膜层的下表面，其特征在于：所述基底具体为衬底硅，所述压力膜层包括底层的多晶硅膜、上层的氧化层，所述底层的多晶硅膜下表面装于所述衬底硅的上表面。

主权项

一种压阻传感器芯片的制作方法，其特征在于：其具体步骤如下，a、对衬底硅进行标准清洗，后用去离子水冲洗，并用甩干机脱水、烘干，然后，将处理好的硅片放在氧化炉中热氧化，使其单面形成0.1～1um的SiO₂氧化层；b、光刻背大膜区，腐蚀背大膜区的SiO₂氧化层，继续用四甲基氢氧化铵（TMAH）腐蚀背大膜区的硅1～5um；经清洗后用去离子水冲洗，烘干后进入等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)炉中生长掺磷的低温氧化硅 (PSG)，作为牺牲层，其中生长的掺磷的低温氧化硅 (PSG)的厚度和被腐蚀掉的背大膜区的硅的厚度相同；c、反刻背大膜区，腐蚀非背大膜区的氧化层；经清洗后用去离子水冲洗，烘干后进入低压化学气相沉积（LPCVD）炉中生长底层的多晶硅膜，厚度1～5um；d、光刻定义腐蚀孔，采用干法刻蚀的方法去掉腐蚀孔中的多晶硅，再用干法或湿法方法释放牺牲层掺磷的低温氧化硅 (PSG)；经清洗后用去离子水冲洗，烘干后进入等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)炉中生长SiO₂薄膜1～5um，放入氧化炉中进行致密氧化处理后堵塞腐蚀孔；e、将完成上述工序的硅片放入低压化学气相沉积（LPCVD）炉中生长多晶硅薄膜0.1～1um,通过硼扩散或硼离子注入使多晶硅薄膜掺杂，为激活杂质和消除扩散或注入引起的缺陷，并使杂质均匀分布，将硅片放在950℃～1200℃氮气保护下退火处理；f、在多晶硅薄膜正面反刻电阻区，光刻定义多晶硅力敏电阻条的形状，采用干法刻蚀的方法在所需位置留下多晶硅的力敏电阻条；经清洗后用去离子水冲洗；烘干后进入低压化学气相沉积（LPCVD）炉中生长Si₃N₄薄膜0.1～1um；g、光刻梁区，依次去除膜区的氮化硅层、氧化层，形成梁‑膜结构；h、光刻引线孔，蒸Al后反刻Al引线，合金化后完成金属引线。