发明名称 带边缘保护的晶圆级芯片尺寸封装结构及芯片封装单元
摘要 本实用新型公开了一种带边缘保护的晶圆级芯片尺寸封装结构及切割后形成的芯片封装单元,晶圆级芯片尺寸封装结构包括晶圆和玻璃板,晶圆包括若干个芯片单元和形成与芯片单元之间并贯通芯片单元的预切割道,每个芯片单元包括硅基板、氧化层、钝化层、若干个PIN脚、通孔和金属线路层,金属线路层上植有多个焊球,通孔内和金属线路层外覆盖有第一绝缘层;玻璃板的一面铺设有第二绝缘层,第二绝缘层通过粘合层与氧化层压合在一起;第一绝缘层的周边延伸至预切割道内,并覆盖住氧化层的周侧。本实用新型能够将作用于晶圆或芯片单元的氧化层内的应力分散与钝化层或者绝缘层中,避免氧化层的断裂,达到提高产品的可靠性的目的。
申请公布号 CN204130517U 申请公布日期 2015.01.28
申请号 CN201420531517.9 申请日期 2014.09.16
申请人 华天科技(昆山)电子有限公司 发明人 沈建树;黄小花;王晔晔;钱静娴;王刚;谷成进;范俊;陈洋
分类号 H01L23/31(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I 主分类号 H01L23/31(2006.01)I
代理机构 昆山四方专利事务所 32212 代理人 盛建德;段新颖
主权项 一种带边缘保护的晶圆级芯片尺寸封装结构,其特征在于:包括晶圆和玻璃板(A),所述晶圆包括若干个芯片单元,相邻两个所述芯片单元之间形成预切割道,所述预切割道贯通所述芯片单元;每个所述芯片单元包括硅基板(B)、位于所述硅基板正面的氧化层(4)、位于所述硅基板背面的钝化层(6)和在所述氧化层内间隔形成的若干个PIN脚(2);所述钝化层上开设有与所述PIN脚位置相对的通孔,所述通孔穿透所述氧化层连通所述PIN脚;所述通孔内和所述钝化层上布设有金属线路层(7),所述金属线路层上植有多个焊球(5),所述通孔内和所述钝化层上的金属线路层外覆盖有第一绝缘层(8);所述玻璃板的一面铺设有第二绝缘层(1),铺设有所述第二绝缘层的所述玻璃板通过粘合层(3)与所述氧化层压合在一起;所述第一绝缘层的周边延伸至所述预切割道内,并覆盖住所述氧化层的周侧。
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