发明名称 用于混合存储器的系统、方法和装置
摘要 本发明的实施例总体上针对一种用于混合存储器的系统、方法和装置。在一个实施例中,混合存储器可以包括封装衬底。该混合存储器还可以包括附着到封装衬底的第一侧的混合存储缓冲器芯片。高速输入/输出(HSIO)逻辑支持与处理器的HSIO接口。混合存储器还包括用于支持在HSIO接口上的分组处理协议的分组处理逻辑。另外,混合存储器还具有垂直地堆叠在混合存储缓冲器上的一个或多个存储器瓦片。
申请公布号 CN102640225B 申请公布日期 2015.01.28
申请号 CN201080054325.8 申请日期 2010.12.10
申请人 英特尔公司 发明人 D·邓宁;B·卡斯珀;R·穆尼;M·曼苏里;J·E·若斯
分类号 G11C5/02(2006.01)I 主分类号 G11C5/02(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 刘瑜;王英
主权项 一种存储设备,包括:具有第一侧的封装衬底;附着到所述封装衬底的所述第一侧的混合存储缓冲器芯片,所述混合存储缓冲器包括用于支持与处理器的高速输入/输出HSIO接口的HSIO逻辑和用于支持所述HSIO接口上的分组处理协议的分组处理逻辑;以及垂直地堆叠在所述混合存储缓冲器上的一个或多个存储器层,所述一个或多个存储器层中的每个存储器层包括一个或多个存储器瓦片,所述一个或多个存储器层与所述混合存储缓冲器相耦合,每个存储器瓦片包括存储器阵列和瓦片输入/输出IO逻辑,其中,所述一个或多个存储器层直接从所述封装衬底接收功率,其中,所述存储设备在具有两级或更多级存储器的计算系统中提供第一级存储器,所述计算系统包括与所述存储设备耦合的存储子系统,所述存储子系统用于提供第二级存储器,其中,所述第二级存储器包括多个存储器块;并且其中,所述混合存储缓冲器芯片包括用于存储所述多个存储器块的至少一个子集的地址标签的标签高速缓存器,并且其中,每个地址标签包括用于禁用存储器块的禁用比特。
地址 美国加利福尼亚
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