| 发明名称 | 氧化物烧结体及溅射靶 | ||
| 摘要 | 本发明提供适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体及溅射靶，其兼具较高的导电性和相对密度，能形成具有较高的载流子迁移率的氧化物半导体膜，特别是即使利用直流溅射法制造也能长时间稳定地进行放电。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和从由A1、Hf、Ni、Si、Ga、In及Ta构成的组中选择的至少一种金属(M金属)的氧化物混合并烧结而得到的氧化物烧结体，将利用高斯分布来模拟面内方向及深度方向的电阻率时，所述电阻率的分散系数σ为0.02以下。 | ||
| 申请公布号 | CN103415488B | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201280011369.1 | 申请日期 | 2012.03.01 |
| 申请人 | 株式会社钢臂功科研 | 发明人 | 后藤裕史;岩崎祐纪 |
| 分类号 | C04B35/453(2006.01)I;C04B35/457(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/453(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种氧化物烧结体，其特征在于，该氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡以及从由Al、Hf、Ni、Si、Ga、In及Ta构成的组中选择的至少一种金属(M金属)的氧化物混合并烧结而得到的氧化物烧结体，在利用高斯分布来模拟面内方向及深度方向的电阻率时，所述电阻率的分散系数σ为0.02以下。 | ||
| 地址 | 日本国兵库县 | ||