| 摘要 |
Способ бесконтактного определения неравномерности температурного поля в полупроводниковых источниках света по относительной разности температур в точках конструкции, заключающийся в измерении и оценке относительной разности температур в контролируемых точках конструкции, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса измерения и повышения точности функции датчиков температуры, выполняют сами элементы конструкции источника: p-n-переход кристалла и люминофорное покрытие, а в качестве термочувствительного параметра используются ширина спектра излучения на уровне 0,5 от их максимального значения. |
