Halbleiterbauteil und Siliciumcarbid-Halbleiterbauteil

摘要

Halbleiterbauteil mit:–einem Vertikal-Feldeffekttransistor mit einem Substrat (10) von erstem Leitungstyp eines Halbleiterkörpers;–einer Drainelektrode (22), die auf einer ersten Fläche des Substrats (10) ausgebildet ist;–einer Epitaxieschicht (11) vom ersten Leitungstyp, die auf einer zweiten Fläche des Substrats (10) ausgebildet ist;–einem Sourcebereich (14) vom ersten Leitungstyp, der auf dem Halbleiterkörper entlang der zweiten Fläche ausgebildet ist;–einem Sourcemetallfilm (34) für ohmschen Kontakt in ohmschem Kontakt mit dem Sourcebereich (14);–mehreren Gräben (110 bis 114), die ausgehend von der zweiten Fläche des Halbleiterkörpers ausgebildet sind;–einem Gatebereich (12) von zweitem Leitungstyp, der entlang der Gräben (110 bis 114) ausgebildet ist;–einer ersten Herausführschicht (13) des Gatebereichs am Boden der Gräben; und–einer zweiten Herausführschicht (15) des Gatebereichs, die eine Verbindung der Gatebereiche benachbarter Gräben am oberen Abschnitt der Gräben ausbildet; wobei dieses Halbleiterbauteil ferner mit Folgendem versehen ist:–einem ansteigenden Gatemetallfilm (31), der in ohmschem Kontakt mit der ersten Herausführschicht des Gatebereichs auf dem Boden der Gräben (110 bis 114) ist und der zur zweiten Fläche des Halbleiterkörpers ansteigt;–einem Gate-Herausführmetallfilm (36), der mit dem ansteigenden Gatemetallfilm (31) ausgehend von der zweiten Fläche des Halbleiterkörpers verbunden ist, und–einem mit dem Sourcemetallfilm für ohmschen Kontakt verbundenen Sourceherausführmetallfilm (33), wobei der Sourceherausführmetallfilm (33) und der Gate-Herausführmetallfilm (36) in derselben Ebene angeordnet sind.