| 发明名称 | 具有纳米晶体核和纳米晶体壳的半导体结构 | ||
| 摘要 | 描述了具有纳米晶体核和相应的纳米晶体壳的半导体结构。在实例中，半导体结构包括由第一半导体材料组成并且具有在1.0至2.0之间但不包括1.0和2.0的宽高比的各向异性纳米晶体核。所述半导体结构还包括至少部分包围所述各向异性纳米晶体核的由不同的第二半导体材料组成的纳米晶体壳。 | ||
| 申请公布号 | CN104302729A | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201280064403.1 | 申请日期 | 2012.09.14 |
| 申请人 | 太平洋光技术公司 | 发明人 | 朱厄妮塔·库尔京;马修·J·卡里洛;史蒂文·休斯 |
| 分类号 | C09K11/02(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;王珍仙 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包含：包含第一半导体材料并且具有在1.0至2.0之间但不包括1.0和2.0的宽高比的各向异性纳米晶体核；和至少部分包围所述各向异性纳米晶体核的包含不同的第二半导体材料的纳米晶体壳。 | ||
| 地址 | 美国俄勒冈州 | ||