用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的系统和方法

摘要

本发明涉及用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的系统和方法。具体而言，下电极板接收射频功率。第一上板定位成平行于所述下电极板并与其间隔开。接地的第二上板定位成邻近所述第一上板。电介质支承体在所述下电极板与所述第一上板之间的区域中提供对工件的支撑。在所述第一上板的位置处供应净化气体。处理气体被供应到所述第一上板的外周。所述电介质支承体将所述工件定位成邻近并平行于所述第一上板，使得所述净化气体流过所述工件的顶面，以便防止处理气体流过所述工件的顶面，并且使所述处理气体绕着所述工件的外周边缘并且在所述工件下方流动。

主权项

一种半导体处理系统，其包括：下电极板；射频电源，所述射频电源被连接上以供应射频功率到所述下电极板；电介质上板，其定位成平行于所述下电极板并与其间隔开；上电极板，其定位成邻近所述电介质上板，使得所述电介质上板位于所述下电极板与所述上电极板之间，所述上电极板电性连接至参考地电位；电介质支承体，其被限定为以电绝缘的方式将工件支撑在所述下电极板与所述电介质上板之间的区域内；净化气体供应通道，其形成为供应净化气体到所述下电极板与所述电介质上板之间在所述电介质上板的中央位置处的区域；以及处理气体供应通道，其形成为供应处理气体到所述下电极板与所述电介质上板之间在所述电介质上板的外周的区域，其中所述电介质支承体被限定成当所述工件存在于所述电介质支承体上时将所述工件定位成处于邻近并且基本上平行于所述电介质上板的位置处，使得所述净化气体在所述电介质上板与所述工件的顶面之间从所述净化气体供应通道流过所述工件的顶面，以便防止所述处理气体流过所述工件的顶面，并且使所述处理气体绕着所述工件的外缘以及在所述工件下方流入所述下电极板与所述工件的底面之间的区域中。