| 发明名称 |
氧化物烧结体及氧化物半导体薄膜 |
| 摘要 |
本发明之课题在于提供一种用于制造不含高价之镓(Ga)及膜之稳定性存在问题之锌(Zn)的氧化物半导体膜之氧化物烧结体。又，本发明之另一课题在于提供一种与该氧化物烧结体具有相同组成之氧化物半导体薄膜。该氧化物烧结体由铟(In)、镁(Mg)、金属元素X(其中，X表示选自Al、Fe、Sn、Ti之1种以上之元素)、氧(O)所构成，且铟(In)、镁(Mg)、及金属元素X之原子数比分别满足0.2≦[In]/[In+Mg+X]≦0.8、0.1≦[Mg]/[In+Mg+X]≦0.5、及0.1≦[X]/[In+Mg+X]≦0.5。 |
| 申请公布号 |
TWI469948 |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
| 申请号 |
TW100124010 |
申请日期 |
2011.07.07 |
| 申请人 |
ＪＸ日鑛日石金属股份有限公司 日本 |
发明人 |
高见英生;长田幸三 |
| 分类号 |
C04B35/01;H01L29/786;H01L29/24;G02F1/1362 |
主分类号 |
C04B35/01 |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
一种氧化物烧结体，其由铟(In)、镁(Mg)、金属元素X(其中，X表示选自Al、Fe、Sn、Ti之1种以上的元素)、氧(O)所构成，铟(In)、镁(Mg)、及金属元素X之原子数比分别满足0.2≦[In]/[In+Mg+X]≦0.6、0.1≦[Mg]/[In+Mg+X]≦0.5、及0.1≦[X]/[In+Mg+X]≦0.5；其体电阻为3mΩcm以下。 |
| 地址 |
日本 |
