发明名称 |
制造太阳能电池的方法 |
摘要 |
本发明涉及制造具有硅衬底的太阳能电池的方法,其中在所述衬底的表面上存在氧化硅层以及在其上施加的抗反射层,该层在加工间中沉积在所述介电钝化层上。为了实现相应的太阳能电池或由其制成的太阳能电池模块针对电位诱导退化(PID)的稳定性,提议将所述介电钝化层由衬底的表面在加工间中借助含有氧化气体的等离子体而形成。 |
申请公布号 |
CN104303316A |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
CN201380010618.X |
申请日期 |
2013.02.22 |
申请人 |
弗劳恩霍弗实用研究促进协会 |
发明人 |
J.D.莫施纳;H.纳格尔;A.拉霍维奇;M.菲德勒 |
分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
周铁;石克虎 |
主权项 |
制造具有硅衬底的太阳能电池的方法,其中在所述衬底的表面上存在氧化硅层形式的介电钝化层以及在其上施加的例如抗反射层的层,该层在加工间中优选借助PECVD方法沉积在所述介电钝化层上,其特征在于,所述介电钝化层由所述衬底的表面在加工间中借助至少部分离解的氧化气体,例如借助含有氧化气体的等离子体而形成,或者所述介电钝化层由所述衬底的表面在加工间之前的预加工间中在氧化气体存在下形成,其中所述衬底在预加工间中跨时间t在氧分压为至少100Pa,特别是至少1kPa下经受≥250℃,特别是≥400℃的温度T。 |
地址 |
德国慕尼黑 |