沟渠绝缘制程

摘要

一种沟渠绝缘制程。首先提供一基底，其上设有一垫层以及一硬遮罩层；于该硬遮罩层形成至少一开口；经由该开口蚀刻该基底，形成一第一沟渠；于该第一沟渠的侧壁上形成一侧壁子；经该第一沟渠蚀刻该基底，于该第一沟渠下方形成一第二沟渠；进行一热氧化制程，利用该侧壁子作为一保护层，氧化该第二沟渠内的该基底，直到该第二沟渠被一氧化层填满；移除该侧壁子，显露出该第一沟渠的侧壁；于显露出来的该第一沟渠的侧壁上形成一衬垫层；以及进行一化学气相沈积制程，沈积一介电层，填满该第一沟渠。

主权项

一种沟渠绝缘制程，包含有：提供一基底，其上设有一垫层以及一硬遮罩层；于该硬遮罩层形成至少一开口；经由该开口蚀刻该基底，形成一第一沟渠；于该第一沟渠的侧壁上形成一侧壁子；经该第一沟渠蚀刻该基底，于该第一沟渠下方形成一第二沟渠；进行一热氧化制程，利用该侧壁子作为一保护层，氧化该第二沟渠内的该基底以形成一氧化层，直到该第二沟渠被该氧化层填满；移除该侧壁子，显露出该第一沟渠的侧壁；于显露出来的该第一沟渠的侧壁上形成一衬垫层；以及进行一化学气相沈积制程，沈积一介电层，填满该第一沟渠。