| 发明名称 | 半导体晶片、半导体IC芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体晶片、半导体IC芯片及其制造方法。一种半导体晶片，包括：每个结合有集成电路的电路集成区域(1)，和布置成分别围绕电路集成区域(1)的保护环(11)。划线区域(2)布置在每相邻的两个保护环(11)之间。元件(13)和电连接到元件(13)的衬垫(12)布置在划线区域(2)中。沟槽(15)沿对应的保护环(11)布置在衬垫(12)和对应的保护环(11)之间的半导体晶片的前表面上。沟槽(15)和衬衬垫(12)之间的距离沿着对应的保护环(11)而变化。 | ||
| 申请公布号 | CN104299898A | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201410344850.3 | 申请日期 | 2014.07.18 |
| 申请人 | 瑞萨SP驱动器公司 | 发明人 | 中村寿雄;中込祐一;熊谷裕弘 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/301(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 韩峰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种半导体晶片，包括：多个电路集成区域，每个所述电路集成区域结合有集成电路；多个保护环，所述多个保护环被布置为分别围绕所述多个电路集成区域；划线区域，所述划线区域被布置在所述多个保护环中的相邻的两个保护环之间；元件，所述元件被布置在所述划线区域中；衬垫，所述衬垫被布置在所述划线区域中并且电连接到所述元件；和沟槽，在所述半导体晶片的前表面上沿着所述相邻的两个保护环中的一个保护环来布置所述沟槽，其中，所述沟槽被布置成在所述衬垫和所述相邻的两个保护环中的所述一个保护环之间经过，以及其中，在第一截面上的所述衬垫和所述沟槽之间的第一距离与在第二截面上的所述衬垫和所述沟槽之间的第二距离不同，其中，所述第一截面经过所述衬垫并且与所述相邻的两个保护环中的所述一个保护环所延伸的延伸方向正交，所述第二截面经过所述衬垫并且与所述延伸方向正交，所述第二截面被定位在所述延伸方向上与所述第一截面的位置不同的位置处。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||