一种GaN基发光二极管的外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述方法包括提供一衬底；在衬底上依次生长缓冲层和N型层，在N型层上依次生长N型电流扩展层、多量子阱层和P型层，N型电流扩展层为采用delta掺杂技术生长的GaN层，N型电流扩展层的的掺杂浓度低于N型层的掺杂浓度，从N型层一侧开始，N型电流扩展层的掺杂浓度保持不变或逐渐降低，且紧邻多量子阱层一侧的N型电流扩展层的掺杂浓度为零。本发明通过采用delta掺杂技术生长电流扩展层，载流子浓度高、补偿少、器件热稳定性能好，且靠近有源区引入无掺杂的GaN层，保证电流的横向扩展，降低正向压降，提高使用寿命，降低由掺杂产生的缺陷向有源区延伸和非辐射复合中心。

主权项

一种GaN基发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、生长在所述衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层，其特征在于，所述外延片还包括生长在所述N型层和所述多量子阱层之间的N型电流扩展层，所述N型电流扩展层为采用delta掺杂技术生长的GaN层，所述N型电流扩展层的掺杂浓度低于所述N型层的掺杂浓度，从所述N型层一侧开始，所述N型电流扩展层的掺杂浓度保持不变或者所述N型电流扩展层的掺杂浓度逐渐降低，且紧邻所述多量子阱层一侧的所述N型电流扩展层的掺杂浓度为零。