| 发明名称 | 可延展的多层有机硅树脂膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供形成可延展的多层有机硅树脂膜的方法。该方法可包括形成含至少两层聚合物层的有机硅树脂膜，其中至少一层是有机硅树脂层。有机硅树脂层的厚度小于相应的可延展的过渡厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN101932442B | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN200780022756.4 | 申请日期 | 2007.06.04 |
| 申请人 | 陶氏康宁公司 | 发明人 | 朱弼忠;D·E·凯特索里斯;M·迪奥普拉;A·萨托休斯;F·麦克盖瑞;R·L·塔布勒;R·拉布;G·N·希勒 |
| 分类号 | B32B25/20(2006.01)I;B32B27/28(2006.01)I;B32B37/15(2006.01)I;B29C47/06(2006.01)I;B29C47/14(2006.01)I;B01F5/06(2006.01)I | 主分类号 | B32B25/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 张钦 |
| 主权项 | 一种方法，它包括：形成含至少两层聚合物层的有机硅树脂膜，其中至少一层聚合物层是通过使可固化的有机硅树脂组合物固化或部分固化而形成的有机硅树脂层，所述有机硅树脂层的厚度小于相应的可延展过渡厚度，所述可延展过渡厚度定义为由有机硅树脂形成的层从脆态过渡到更加可延展状态时的厚度，其中所形成的有机硅树脂膜是可延展的，其中所述有机硅树脂层含有R<sup>1</sup>SiO<sub>3/2</sub>单元即T单元和/或SiO<sub>4/2</sub>单元即Q单元结合R<sup>1</sup>R<sup>2</sup><sub>2</sub>SiO<sub>1/2</sub>单元即M单元和/或R<sup>2</sup><sub>2</sub>SiO<sub>2/2</sub>单元即D单元，R<sup>1</sup>为烃基或卤代烃基，二者均不含脂族不饱和键，R<sup>2</sup>为R<sup>1</sup>基或链烯基。 | ||
| 地址 | 美国密执安 | ||