| 发明名称 | 发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括：第一半导体层；第二半导体层；有源层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及第一光提取层，设置在所述第一半导体层上，并且包括氮化物半导体层。这里，所述第一光提取层包括多个第一层。所述多个第一层的折射率随着离所述第一半导体层的距离增大而减小。本发明能够使发光器件的光提取效率得以提高。 | ||
| 申请公布号 | CN104300062A | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201410344553.9 | 申请日期 | 2014.07.18 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 成演准;张正训;丁圣勋 |
| 分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 金鹏;张浴月 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：第一半导体层；第二半导体层；有源层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及第一光提取层，设置在所述第一半导体层上并且包括氮化物半导体层，其中所述第一光提取层包括多个第一层，并且所述多个第一层的折射率随着离所述第一半导体层的距离增大而减小。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||