采用压电层的自旋晶体管以及相关存储器、存储器系统和方法

摘要

本发明公开了自旋晶体管以及相关的存储器、存储器系统和方法。自旋晶体管由具有共享多铁层的至少两个磁性隧道结(MTJ)提供。所述多铁层由具有金属电极(金属)的铁磁薄膜(FM通道)之上的压电(PE)薄膜形成。铁磁层用作自旋通道，并且压电层用于转移压电应力，以控制所述通道的自旋状态。共享层的一侧上的MTJ形成自旋晶体管的源极，并且共享层的另一侧上的MTJ形成自旋晶体管的漏极。

主权项

一种电压控制自旋通道，包括：第一电极；铁磁层，其被配置为提供通道区；以及压电层，其设置在所述第一电极与所述铁磁层之间，所述压电层被配置为提供栅极电介质。