发明名称 薄膜的制造方法
摘要 本发明提供一种薄膜的制造方法,其可以避免成膜结束后不必要的成膜材料的飞散和沉积,并且可以实现使用喷嘴方式的蒸发源的稳定高效的成膜。不利用传导可变结构(34)将蒸发室(16)和成膜室(17)之间遮断,将蒸发室(16)和成膜室(17)真空排气,并且在使保持加热过的成膜材料的蒸发源(19)的开放面(14)接近基板(21),以该状态进行成膜,接着,向蒸发室(16)和成膜室(17)中导入非反应气体,将两室内的压力调节至规定压力以上,抑制成膜材料的蒸发,之后,利用移动机构(35)使蒸发源(19)移动,使开放面(14)远离基板(21),使传导可变结构运行而将两室间遮断,边向蒸发室(16)继续导入非反应气体,边冷却成膜材料。
申请公布号 CN102482762B 申请公布日期 2015.01.21
申请号 CN201180003592.7 申请日期 2011.06.01
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 本田和义;别所邦彦;岛田隆司
分类号 C23C14/24(2006.01)I;H01M4/1395(2006.01)I 主分类号 C23C14/24(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种薄膜的制造方法,在成膜装置内制造薄膜,该制造方法的特征在于:所述成膜装置包括:蒸发室;与所述蒸发室邻接配置、在内部配置基板的成膜室;分别与所述蒸发室和所述成膜室连接的真空泵;与所述蒸发室和所述成膜室中的一者或两者连接的非反应气体导入机构;配置在所述蒸发室内、保持成膜材料、具有开放面的半密闭结构的蒸发源;以能够使所述开放面接近所述基板的方式使所述蒸发源移动的移动机构;和在所述蒸发室和所述成膜室之间配置的传导可变结构,所述方法包括:第一工序,不利用所述传导可变结构将所述蒸发室和所述成膜室之间遮断,将所述蒸发室和所述成膜室真空排气,并且使保持加热过的所述成膜材料的所述蒸发源的所述开放面接近所述基板,以该状态在所述基板上进行成膜;第二工序,维持所述蒸发室和所述成膜室之间不遮断的状态,向所述蒸发室和所述成膜室导入非反应气体,将所述蒸发室和所述成膜室内的压力调节至规定压力以上,抑制所述成膜材料的蒸发;第三工序,通过所述移动机构使所述蒸发源移动,使所述开放面远离所述基板,确保将所述蒸发室和所述成膜室之间遮断的必要的空间;第四工序,使所述传导可变结构运行,将所述蒸发室和所述成膜室之间遮断;和第五工序,边向所述蒸发室继续导入所述非反应气体,边冷却所述成膜材料,在第三工序~第四工序中,所述成膜室和所述蒸发室内的压力被保持在所述规定压力以上,在第五工序中,所述蒸发室内的压力被保持在所述规定压力以上。
地址 日本大阪府