半导体装置

摘要

一种半导体装置，包含p型掺杂层、n型掺杂层及内部电性连接层，其电性耦合于p型掺杂层与n型掺杂层之间。在一实施例中，内部电性连接层包含四族元素与氮元素，且四族元素与氮元素的原子数占上述内部电性连接层总原子数百分比的50%以上。在另一实施例中，内部电性连接层包含碳元素，其掺杂浓度大于1017原子/立方公分。在又一实施例中，内部电性连接层的形成温度小于p型掺杂层的形成温度及n型掺杂层的形成温度。

主权项

一种半导体装置，包含：一p型掺杂层；一n型掺杂层；及一内部电性连接层，位于该p型掺杂层与该n型掺杂层之间，藉以电性耦合该p型掺杂层与该n型掺杂层；其中，该内部电性连接层包含四族元素与氮元素，且该四族元素与该氮元素的原子数占该内部电性连接层总原子数百分比的50%以上，该内部电性连接层系为缺陷诱导内部电性连接层，该缺陷诱导内部电性连接层提供一第一缺陷密度，该缺陷诱导内部电性连接层的成长面具有一第二缺陷密度，该第一缺陷密度为该第二缺陷密度的5倍以上，且该缺陷诱导内部电性连接层的厚度小于或等于100奈米。