变栅距光栅的制作方法

摘要

变栅距光栅的制作方法，涉及光谱技术领域，解决现有方法采用热熔存在工艺条件比较难控制，很容易引起光刻胶刻槽坍塌，对光栅技术指标产生较大影响等问题，包括基底清洗、匀胶、前烘、曝光、显影、后烘、离子束刻蚀、清洁处理、镀膜。本发明的变栅距光栅制作工艺流程低成本、易于实现，大大地节约了成本、缩短了制作周期。变栅距光栅所具有的像差校正、高分辨率及平焦场等独特优点日益突出，使其在空间光谱仪、等离子体诊断、同步辐射单色仪、光纤通信等领域广泛应用。

主权项

变栅距光栅的制作方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：步骤一、光栅基底清洗，并在清洗后的光栅基底上涂敷光刻胶，获得涂敷光刻胶后的光栅基底；步骤二、前烘，将步骤一获得的光栅基底放入烘箱中，升高烘箱温度一段时间后取出；步骤三、曝光，将取出的光栅基底放入曝光装置中曝光，然后显影，获得光刻胶光栅；步骤四、后烘，将显影后的光刻胶光栅放入烘箱烘烤；然后进行离子束刻蚀，将光刻胶光栅的刻蚀转移到单晶硅基底上进行刻蚀；步骤五、对刻蚀后的光栅放入真空镀膜机中镀膜，获得变栅距光栅。