发明名称 电能储存装置及其制造方法
摘要 提供一种具有合意之电池性能之电能储存装置及其制造方法。电能储存装置包括至少一正电极及设置成面对正电极之一负电极,且电解质设置在其之间。正电极包括集极及含有形成在集极上方的活性材料之膜。含活性材料之膜含有满足关系3.5≦h/g≦4.5、0.6≦g/f≦1.1、及0≦e/f≦1.3的LieFefPgOh以及满足关系3.5≦d/c≦4.5、0.6≦c/b≦1.8、及0.7≦a/b≦2.8的LiaFebPcOd。含活性材料之膜在接触电解质的区域中含有满足关系3.5≦d/c≦4.5、0.6≦c/b≦1.8、及0.7≦a/b≦2.8的LiaFebPcOd。
申请公布号 TWI470863 申请公布日期 2015.01.21
申请号 TW100109871 申请日期 2011.03.23
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 日本 发明人 汤川干央;森若圭惠
分类号 H01M4/58;H01M4/1397;C01B25/45 主分类号 H01M4/58
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种电能储存装置,包含:负电极;以及正电极,面对该负电极且电解质设置于该正及负电极之间,其中该正电极包含集极及形成在该集极上方的含有活性材料之膜,其中该膜接触该电解质,其中该膜具有堆叠结构,该堆叠结构包括分别包含第一活性材料及第二活性材料之第一层及第二层,其中该第一活性材料具有满足关系3.5h/g4.5、0.6g/f1.1、及0e/f1.3的LieFefPgOh之组成,以及其中该第二活性材料具有满足关系3.5d/c4.5、0.6c/b1.8、及0.7a/b2.8的LiaFebPcOd之组成。
地址 日本
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