| 发明名称 | 结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物及织构蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物及织构蚀刻方法。通过包含碱性化合物和聚合度为1,000以下的水溶性葡聚糖类化合物，所述水溶性葡聚糖类化合物是将由碳数为1～3的烷基羧基或其金属盐取代后的葡萄糖进行聚合、且所述羧基或其金属盐的总取代度为0.5～1.2，由此，在结晶性硅晶片的表面形成微细金字塔结构时，通过控制相对于硅结晶方向的蚀刻速度之差，来防止由碱性化合物造成的过度蚀刻，从而能够使不同位置的织构的质量偏差变得最小，并能够使光效率增加。 | ||
| 申请公布号 | CN104294368A | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201410340376.7 | 申请日期 | 2014.07.16 |
| 申请人 | 东友精细化工有限公司 | 发明人 | 朴勉奎;洪亨杓;林大成 |
| 分类号 | C30B33/10(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 杨黎峰;石磊 |
| 主权项 | 一种结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，所述组合物包含：碱性化合物和聚合度为1,000以下的水溶性葡聚糖类化合物，所述水溶性葡聚糖类化合物是将由碳数为1～3的烷基羧基或其金属盐取代后的葡萄糖进行聚合，所述羧基或其金属盐的总取代度为0.5～1.2。 | ||
| 地址 | 韩国全罗北道益山市 | ||