一种高频段无介电弥散的电子陶瓷材料的处理工艺

摘要

本发明公开一种高频段无介电弥散的电子陶瓷材料的处理工艺，通过高温老化与低温老化两步法稳定锆钛酸铅陶瓷中的缺陷分布，使畴壁对交流电场的响应降到最低，以达到最佳频率稳定性的目的。采用本工艺处理的锆钛酸铅电子陶瓷材料在高频段其介电性能具有以下特点：在10MHz到200MHz频段间的介电常数实部稳定在420-422之间，虚部稳定在1-2之间，介电常数在该频段的变化率为0.476%，可以认为其在高频段不存在介电弥散。采用本发明工艺处理的电子陶瓷材料具有很好的介电性能稳定性，在近200MHz的带宽内性能稳定，可以作为潜在材料应用于高频电子器件。

主权项

一种高频段无介电弥散的电子陶瓷材料的处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：1)：将电子陶瓷经机械加工形成具有一对平行面的几何体，在几何体的一对平行面上制备一对平行电极，电极包括与电子陶瓷接触的金属Cr电极和位于金属Cr电极上的金属Pt电极；然后以2℃/min升温速率在空气烧结炉中加热到A℃，保温6小时，然后再以2℃min降温速率降温到室温，然后静置24小时；A℃高于电子陶瓷居里温度；2)：将步骤1)处理后的电子陶瓷，采用金属Pt膜包裹，使两端面电极导通；放入恒温箱中在200℃下静置2小时，然后降温至100℃静置4小时，再降温至50℃静置8小时；取出后室温静置24小时后在室温下去除金属Pt包裹膜，得到处理后的电子陶瓷材料；所述电子陶瓷为Pb(Zr_1‑xTi_x)_0.99Fe_0.01O₃，x＝0.58。