薄膜电晶体阵列基板及其制造方法与使用在其制造方法之退火炉

摘要

一种薄膜电晶体阵列基板包含基底、闸极层、绝缘层、氧化物半导体层、源极/汲极层、有机压克力系光阻、保护层以及导电层。闸极层系形成于基底上。绝缘层系形成于闸极层及基底上。氧化物半导体层形成于绝缘层上。源极/汲极层系形成于绝缘层及氧化物半导体层上，源极/汲极层形成有间隙，氧化物半导体层自间隙露出。有机压克力系光阻系覆盖于源极/汲极层上。保护层系形成于基底、氧化物半导体层及有机压克力系光阻上。导电层设置于保护层或有机压克力系光阻上且分别地连接至源极/汲极层或闸极层。

主权项

一种薄膜电晶体阵列基板之制造方法，包含：(a)提供一基底；(b)依序形成一闸极层覆盖于该基底上、形成一绝缘层同时覆盖于该基底与该闸极层上、形成一氧化物半导体层覆盖于该绝缘层上；(c)在该氧化物半导体层与该绝缘层上同时形成一源极/汲极层，其中该源极/汲极层形成有一间隙，使该氧化物半导体层自该间隙露出；(d)形成一有机压克力系光阻覆盖于该源极/汲极层上，并在含有固定浓度之氧的环境中，对该氧化物半导体层进行退火处理；(e)形成一保护层于退火处理后之该基底、该氧化物半导体层及该有机压克力系光阻上；以及(f)在蚀刻制程完成后之该保护层或该有机压克力系光阻上形成一导电层且使该导电层连接至该源极/汲极层或该闸极层。