常态导通高压开关

摘要

在一些实施例中，常态导通高压开关器件（“常态导通开关器件”）引入了沟槽栅极端和掩埋掺杂栅极区。在其他实施例中，所形成的表面栅极控制的常态导通高压开关器件带有沟槽结构，并且引入了表面栅极电极控制的表面通道。表面栅极控制的常态导通开关器件还引入了沟槽栅极电极和掩埋掺杂栅极区，以耗尽导电通道，帮助断开常态导通开关器件。因此利用现有的高压MOSFET制备工艺，可以轻松地制备常态导通开关器件，并与MOSFET器件集成。

主权项

一种常态导通高压开关器件，其特征在于，包括：一个第一导电类型的第一半导体层，所述第一半导体层重掺杂，并且构成常态导通开关器件的漏极区；一个第一导电类型的第二半导体层，形成在第一半导体层上；一个形成在第二半导体层中的沟槽，所述沟槽内衬一个绝缘层，并用导电材料填充；一个第二导电类型的第一掺杂区，第二导电类型与第一导电类型相反，第一掺杂区形成在沟槽下方，并电连接到沟槽上，构成常态导通开关器件的栅极端；以及一个第一导电类型的第二掺杂区，形成在第二半导体层的第一表面上，第二掺杂区重掺杂，并且构成常态导通开关器件的源极区，其中常态导通开关器件包括一个形成在源极区和漏极区之间的第二半导体层中的通道，当栅极端相对于源极区加载反向偏压时，该通道被切断。