ULTRA PURE SILICON CARBIDE AND HIGH TEMPERATURE SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT MADE THEREFROM,申请号IL19930106418-传众专利搜索

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发明名称	ULTRA PURE SILICON CARBIDE AND HIGH TEMPERATURE SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT MADE THEREFROM
摘要
申请公布号	IL106418(D0)	申请公布日期	1993.11.15
申请号	IL19930106418	申请日期	1993.07.20
申请人	CVD, INC.	发明人
分类号	C01B31/36;B28B21/42;C04B35/565;C04B35/571;C04B41/87;C23C16/01;C23C16/32;C23C16/44;C30B29/36;H01L21/22;(IPC1-7):C01B/	主分类号	C01B31/36
代理机构		代理人
主权项
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