发明名称 Photoelektrode mit einer Schutzschicht
摘要 Photoelektrode für photoelektrokatalytische Verfahren mit einer Schutzschicht und mindestens einer photoaktiven Halbleiterschicht, wobei die Schutzschicht mindestens wasserbeständig und für sichtbares Licht transparent ist und auf der lichteinfallenden Seite der photoaktiven Halbleiterschicht angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht aus SiNx oder SiOx oder SiCx oder Al2O3 gebildet und Löcher mit einem Durchmesser im nm-Bereich aufweist, die mit einem Katalysator gefüllt sind.
申请公布号 DE202013011997(U1) 申请公布日期 2015.01.19
申请号 DE20132011997U 申请日期 2013.09.20
申请人 HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FÜR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH 发明人
分类号 C25B11/00 主分类号 C25B11/00
代理机构 代理人
主权项
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