沟渠式功率半导体元件及其制作方法;TRENCH TYPE SEMICONDUCTOR POWER DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

摘要

一种沟渠式功率电晶体元件，包含有一半导体基底；一磊晶层，设于该半导体基底上；至少一闸极沟槽，设于该磊晶层中；一闸极氧化层，位于该闸极沟槽内；一闸极，位于该闸极沟槽中，该闸极突出于该磊晶层，且该闸极上具有一凹陷结构；一间隙壁，位于该闸极的一侧壁上；一金属顶部结构，位于该凹陷结构内；一接触插塞，位于该间隙壁的一侧，延伸进入到该磊晶层中，其中该间隙壁隔离该金属顶部结构与该接触插塞；以及一源极掺杂区，于该磊晶层中，介于该接触插塞与该闸极沟槽之间。