记忆体页缓冲器;MEMORY PAGE BUFFER

摘要

计数状态电路在电性上会耦接至对应的位元状态记忆体元件上。位元状态记忆体元件会选择性的储存耦接至一记忆体阵列之一位元线上的位元状态。位元错误状态是指至少为通过(PASS)以及错误(FAIL)状态之一。计数状态电路依照顺序会彼此电性耦接在一起。控制逻辑则依照所述顺序产生计数状态电路之运行以决定储存位元状态之记忆体元件的总数量。储存位元状态之记忆体元件数量是指错误位元或是非错误位元的数目，依此可以帮助决定是否有太多的错误以致无法藉错误控制码来加以更正。