| 摘要 |
Eine Änderung elektrischer Eigenschaften eines Transistors mit Finne/n, der ein Oxid-Halbleitermaterial enthält, wie beispielsweise eine negative Verschiebung der Schwellenspannung oder eine Zunahme des S-Wertes, wird verhindert. Eine Oxid-Halbleiterschicht ist zwischen einer Vielzahl von Gate-Elektroden eingeschlossen, wobei eine Isolierschicht zwischen der Oxid-Halbleiterschicht und jeder der Gate-Elektroden vorhanden ist. Das heißt, eine erste Gate-Isolierschicht deckt eine erste Gate-Elektrode ab, eine Oxid-Halbleiterschicht ist in Kontakt mit der ersten Gate-Isolierschicht und erstreckt sich über die erste Gate-Elektrode hinaus, eine zweite Gate-Isolierschicht deckt wenigstens die Oxid-Halbleiterschicht ab, und eine zweite Gate-Elektrode ist in Kontakt mit einem Teil der zweiten Gate-Isolierschicht und erstreckt sich über die erste Gate-Elektrode hinaus. |
