| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其在埋入式绝缘膜和衬底之间形成空洞区域而提高耐压，并具有充分的机械强度。其具有：衬底(12)；形成于该衬底上的埋入式绝缘膜(14)；形成于该埋入式绝缘膜之上的SOI层(20)；将该SOI层划分为第一SOI层(20a)和与该第一SOI层绝缘的第二SOI层(20b)的绝缘膜(22)；形成于该第一SOI层的元件(30)；以及在一端具有位于该第二SOI层正上方的焊盘(70a)，另一端与该第一SOI层相连接的电极(70)，在该第一SOI层正下方的该埋入式绝缘膜和该衬底之间具有空洞区域(18)，该第二SOI层正下方的该埋入式绝缘膜的至少一部分与该衬底直接接触。 | ||
| 申请公布号 | CN104282743A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201410317578.X | 申请日期 | 2014.07.04 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 山下润一;寺岛知秀 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：衬底；埋入式绝缘膜，其形成于所述衬底之上；SOI层，其形成于所述埋入式绝缘膜之上；绝缘膜，其以从所述SOI层的表面到达所述埋入式绝缘膜的方式形成，将所述SOI层划分为第一SOI层和与所述第一SOI层绝缘的第二SOI层；元件，其形成于所述第一SOI层；以及电极，其在一端具有位于所述第二SOI层的正上方的焊盘，另一端与所述第一SOI层相连接，在所述第一SOI层正下方的所述埋入式绝缘膜和所述衬底之间具有空洞区域，所述第二SOI层正下方的所述埋入式绝缘膜的至少一部分与所述衬底直接接触。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||